Trong sản xuất chất bán dẫn, màng nhôm mỏng thường được lắng đọng trên bề mặt chip bằng công nghệ phún xạ kim loại. Phún xạ là một quá trình lắng đọng hơi vật lý (PVD), tấn công mục tiêu kim loại bằng cách sử dụng quá trình ion hóa và gia tốc của các khí trơ như ** argon (Ar)**, khiến các nguyên tử trên mục tiêu văng ra và đọng lại trên bề mặt của wafer cần được xử lý.
1. Nguyên lý cơ bản của phún xạ
Cốt lõi của quá trình phún xạ là sử dụng ion argon (Ar+) được tăng tốc ở điện áp cao, chạm vào bề mặt tấm bia nhôm. Khi các ion argon chạm vào mục tiêu nhôm, các nguyên tử nhôm sẽ bị tách ra khỏi bề mặt mục tiêu và bắn lên bề mặt của tấm bán dẫn. Độ dày, tính đồng nhất và chất lượng của màng nhôm có thể được kiểm soát bằng cách điều chỉnh các thông số như tốc độ dòng khí, điện áp của mục tiêu và thời gian lắng đọng.
2. Ưu điểm của quá trình phún xạ
Độ chính xác cao: Công nghệ phún xạ có thể kiểm soát chính xác độ dày và tốc độ lắng đọng của màng nhôm, phù hợp cho sản xuất chất bán dẫn mịn.
Lắng đọng ở nhiệt độ thấp: Quá trình phún xạ có nhiệt độ lắng đọng thấp hơn so với lắng đọng hơi hóa học (CVD) và do đó tránh được hư hỏng ở nhiệt độ cao đối với vật liệu, khiến nó đặc biệt thích hợp cho các quy trình nhạy cảm với nhiệt độ.
Chất lượng màng tốt: Bằng cách tối ưu hóa các điều kiện phún xạ, màng nhôm có thể có độ bám dính và độ phẳng tốt cho quá trình xử lý tiếp theo.